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San'an Semiconductor erhielt einen staatlichen Zuschuss von 100 Millionen Yuan, Hunan San'an erhielt eine Garantie von 640 Millionen Yuan

May 07, 2021

Sanan Semiconductor erhält Zuschuss in Höhe von 100 Millionen Yuan für den Kauf von Ausrüstung


Gestern (6) gab San'an Optoelectronics bekannt, dass Quanzhou San'an Semiconductor Technology Co., Ltd. (im Folgenden als „San'an Semiconductor“ bezeichnet), eine hundertprozentige Tochtergesellschaft des Unternehmens,"Mitteilung der Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co., Ltd. Ausrüstungskaufsubvention" [Quanxin Nanguan (2021) Nr. 34] Dokument.


Nach den einschlägigen Bestimmungen des"Investitionskooperationsabkommens" unterzeichnet von der Quanzhou Municipal People's Regierung, Nan'einer Municipal People's Regierung und dem Unternehmen, der Nan'ein Sub-Park Management Ausschuss von Quanzhou Semiconductor High-Tech-Industriepark vereinbart, RMB 100 Millionen als Subvention für den Kauf von San'einer Halbleiterausrüstung bereitzustellen. Sanan Semiconductor hat die Zahlung am 30. April 2021 erhalten.

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Gemäß den einschlägigen Vorschriften wird der von San'an Semiconductor erhaltene Ausrüstungszuschuss bei Erhalt als Rechnungsabgrenzungsposten erfasst und während der Nutzungsdauer der betreffenden Vermögenswerte gleichmäßig abgeschrieben und erfolgswirksam erfasst.



Sanan Optoelectronics gewährt seiner hundertprozentigen Tochtergesellschaft eine Garantie von 640 Millionen Yuan


Am 5. Mai gab San'an Optoelectronics bekannt, dass das Unternehmen eine hundertprozentige Tochtergesellschaft der Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd. (im Folgenden „Hunan San'an“ genannt) ist, um einen umfassenden Kredit zu beantragen Linie von 100 Millionen Yuan und RMB 100 Millionen von der Bank of Beijing Co., Ltd. Changsha Branch. Die China Construction Bank Co., Ltd. Changsha Hexi Branch beantragte eine umfassende Kreditlinie in Höhe von 540 Mio. RMB zur Bereitstellung von Garantien mit gemeinschaftlicher Haftung in Höhe von insgesamt 640 Mio. RMB.


Hunan San'an wurde am 7. Juli 2020 gegründet. Es ist hauptsächlich in der Herstellung von diskreten Halbleitergeräten, Halbleiterbeleuchtungsgeräten, Beleuchtungslampen und optoelektronischen Halbleitergeräten tätig; Herstellung, Verpackung, Design und Prüfung von integrierten Schaltkreisen; Siliziumkarbid-Substrat R&D, Produktion, Vertrieb; Produktion, Vertrieb sowie Forschung und Entwicklung von Halbleitermaterialien in Bezug auf Siliziumkarbid-Substrate; Herstellung, Vertrieb und Forschung und Entwicklung von leistungselektronischen Komponenten; Dienstleistungen im Bereich der Leistungselektronik; Funktionsmaterialien und deren Komponenten Technologieentwicklung, Beratungs- und Transferleistungen etc.


Sanan Optoelectronics erklärte, dass Hunan Sanan eine hundertprozentige Tochtergesellschaft des Unternehmens ist. Sie beantragt bei der Bank eine umfassende Kreditlinie auf der Grundlage von Produktions- und Betriebsbedarf, die der Förderung des Produktionsprozesses förderlich ist und die normale Entwicklung und langfristige Entwicklung von Produktion und Betrieb garantiert. Die vom Unternehmen für seine Tochtergesellschaften gewährte Garantie entspricht diesmal den einschlägigen Gesetzen, Vorschriften und Verordnungen.


Mai beliefen sich die externen Garantien von Sanan Optoelectronics auf 7,672 Milliarden Yuan (einschließlich dieser Garantie), was 25,86% des geprüften Nettovermögens des Unternehmens zum 31. Dezember 2020 ausmachte.


Darunter stellte das Unternehmen Garantien in Höhe von insgesamt 5,818 Milliarden Yuan für seine hundertprozentigen Tochtergesellschaften bereit, was 19,61 % des geprüften Nettovermögens des Unternehmens zum 31. Dezember 2020 ausmachte; es zahlte Fujian San'an Group Co., Ltd. die Kapitalerträge aus dem National Development Fund Co., Ltd. und Xiamen San'an Electronics Co., Ltd. stellte eine Garantie für die Übertragung von 1,854 Milliarden Yuan Kapitalerhöhung vom National Development Fund Co., Ltd., die zum 31. Dezember 2020 6,25% des geprüften Nettovermögens des Unternehmens ausmachten. (Organisiert von LEDinside)