Nano Stack IR 810 nm 850 nm 940 nm 5050 SMD-LED

Nano Stack IR 810 nm 850 nm 940 nm 5050 SMD-LED-Spezifikationen:

Produktname	Nano Stack IR 810 nm 850 nm 940 nm 5050 SMD-LED
Teilenummer	GD-5050R850-2C2S0-S1D2M
Marke Chips	Nano Stack-Spezialchips mit höherer Spannung und höherer Strahlungsleistung. Jeder Chip mit 3 VDC max. 1000 mA, Gesamtpaket 2S2P im Inneren
Eingang	3.5-4.5 VDC max. 2000 mA
Strahlungsleistung	4000-4500mW bei 1400 mA Durchlassstrom
Beleuchtungseffizienz	Unsichtbare IR-Beleuchtung, LPW wird nicht erwähnt
Farbe	Datenblatt mit 850-855nm. Aber wir können auch 805-810nm, 940-950nm für Sie anpassen.
Leistung	10-12 Watt
Verpackungsmaterial	ALN-Keramikgröße 5x5mm
Beleuchtungswinkel	Normal mit 120 Grad. Wir können auch mit 60 Grad arbeiten.
Marke und Hersteller	GMLEDs, GMKJ
Garantie	4 Jahre
OEM-Service	1. SKD-Teile verfügbar; 2. Maßgeschneiderte LED-Leiterplatten in der von Ihnen benötigten Größe sind hier in Ordnung. 3. Hier können wir für Sie die LEDs aus Aluminium auf Platinen montieren.

Was ist der Unterschied zwischen Nano-Stack-Infrarot-LEDs und normalen Infrarot-LEDs?

Nano-Stack-Infrarot-LEDs unterscheiden sich von herkömmlichen Infrarot-LEDs vor allem in folgenden Punkten:

Effizienz und Leistungsdichte: Die Nano-Stack-Technologie ermöglicht eine viel höhere Leistungsdichte durch das Stapeln mehrerer Schichten von Halbleitermaterialien im Nanomaßstab. Diese Struktur ermöglicht höhere Photonenemissionsraten, was zu einer höheren Infrarotintensität und Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen einschichtigen Infrarot-LEDs führt.

Kompaktes Design: Aufgrund der auf Nanotechnologie basierenden Stapelung können diese LEDs eine höhere Leistung in einem kleineren Gehäuse erzielen. Dies ist besonders vorteilhaft für Anwendungen, die miniaturisierte oder kompakte Lichtquellen benötigen, beispielsweise in mobilen Geräten oder kompakten Sensoren.

Verbesserte Wärmeableitung: Die gestapelten Schichten in Nano-Stack-LEDs können die Wärmeableitung verbessern und so das Risiko einer thermischen Verschlechterung verringern, die bei herkömmlichen Hochleistungs-Infrarot-LEDs häufig auftritt. Dies führt auch zu einer längeren Lebensdauer und einer stabileren Leistung im Laufe der Zeit.

Verbesserte Wellenlängenkontrolle: Die Nano-Stack-Technologie bietet eine bessere Kontrolle über die Wellenlänge des emittierten Lichts, indem sie die Zusammensetzung und Dicke jeder Schicht im Stapel manipuliert. Dadurch können präzisere Wellenlängenausgaben bereitgestellt werden, was für Anwendungen wertvoll ist, die bestimmte Infrarotwellenlängen erfordern, beispielsweise in der biomedizinischen Bildgebung oder bei bestimmten Arten der Sensorik.

Schnellere Reaktionszeit: Aufgrund der nanoskaligen Struktur können Nano-Stack-Infrarot-LEDs schnellere Schaltzeiten haben, was für Anwendungen, die schnelle Ein-/Ausschaltzyklen erfordern, wie etwa optische Hochgeschwindigkeitskommunikation, von Vorteil ist.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass Nano-Stack-Infrarot-LEDs im Vergleich zu herkömmlichen Infrarot-LEDs eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad, eine bessere Wärmeableitung, Kompaktheit, eine präzise Wellenlängensteuerung und schnellere Reaktionszeiten bieten, wodurch sie für anspruchsvollere und speziellere Anwendungen geeignet sind.

Nano Stack IR 810 nm 850 nm 940 nm 5050 SMD LED Bild:

Abmessungen der Nano Stack IR 810 nm 850 nm 940 nm 5050 SMD-LED:

Nano Stack IR 810 nm 850 nm 940 nm 5050 SMD LED-Spezifikationen:

Parameter	Symbol	Bedingungen	Min	Durchschn.	Max	Einheiten
Durchlassspannung	VF	IF=1400mA	5.50	--	6.50	V
Wärmewiderstandsverbindung zur Platine	RΘJ-B	IF=1400mA	--	3	--	Abschluss /W
Strahlungsfluss	Φe	IF=1400mA	4000	--	4500	mW
Spitzenwellenlänge	λp	IF=1400mA	845	--	855	nm
Rückstrom	IR	VR=10V	−−	−−	10	μ A
Betrachtungswinkel	2Θ1/2	IF=1400mA	−−	120	−−	Grad

 

 

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