Guangmai Technology ist professionell in der Herstellung derDunkelgelbe Farbe SMD LED 3030 2835 3V 6V.
Aufgrund seiner einstellbaren breiten Bandlücke hat InGaN-Film breite Anwendungsperspektiven im Bereich des sichtbaren Lichts. Die Verwendung von Mikro-LED-Vollfarbdisplays ist eine der potenziellsten Anwendungen. Zukünftige Smartphones, Uhren, Virtual-Reality-Brillen usw. Kleine Displays werden von der Mikro-LED-Technologie profitieren.
Gegenwärtig steht die Mikro-LED-Technologie vor zwei großen Herausforderungen. Zum einen ist die Massentransfertechnologie nur sehr schwer zu realisieren, zum anderen fehlt es an effizienten und zuverlässigen Rotlicht-Mikro-LED-Chips. Die aktuelle rote LED besteht aus AlGaInP-Material und ihre Effizienz liegt bei 60% oder mehr unter der normalen Chipgröße. Wenn die Chipgröße jedoch auf die Größenordnung von Mikrometern reduziert wird, sinkt ihre Effizienz drastisch unter 1%. Darüber hinaus erschweren die schlechten mechanischen Eigenschaften des AlGaInP-Materials den Stoffaustausch, da der Stoffaustausch eine gute mechanische Festigkeit des Materials erfordert, um Risse während der Chiphandhabung und -platzierung zu vermeiden.
InGaN-Material hat nicht nur eine bessere mechanische Stabilität und eine kürzere Lochdiffusionslänge, sondern ist auch mit grünen und blauen Mikro-LEDs auf InGaN-Basis kompatibel. Es ist die bessere Wahl für rote Mikro-LEDs. Der Rotlicht-Quantentopf auf InGaN-Basis weist jedoch ein ernsthaftes Problem der Indium-Segregation auf, die zu einer Zunahme der nicht-strahlenden Rekombination in dem Rotlicht-Quantentopf führt, wodurch eine Verringerung der Effizienz verursacht wird. In den letzten 20 Jahren der Forschung lag die Leistungsumwandlungseffizienz von roten LEDs auf InGaN-Basis unter 2,5%. Das Problem der Indium-Segregation hat die Entwicklung von roten LEDs auf InGaN-Basis ernsthaft behindert. Daher ist die Lösung des Problems der Indium-Segregation der Schlüssel zum Erhalt hocheffizienter roter LEDs auf InGaN-Basis.
Kürzlich hat das Forschungsteam des Akademiemitglieds Jiang Fengyi von der Nanchang University seine neuesten hocheffizienten orange-roten LED-Ergebnisse auf InGaN-Basis in Photonics Research, Band 8, Ausgabe 11, 2020, vorgestellt.
(a) Schematische Darstellung der epitaktischen Materialstruktur einer orangefarbenen LED mit hoher Lichtausbeute (b) TEM-Testergebnisse ihres Querschnitts
Diese Arbeit basiert auf der Siliziumsubstrat-Galliumnitrid-Technologie, bei der die Indium-Gallium-Nitrid-Rotlicht-Quantenmulde und die Gelblicht-Quantenmulden-Wachstumsmethode in Kombination mit der V-förmigen Pit-Technologie eingeführt wurden, wodurch das Segregationsproblem der hohen In-Zusammensetzung stark gemildert wird der Rotlicht-Quantenbrunnen. Basierend auf dem V-förmigen pn-Übergang und der Quantentopf-Bandlückentechnik wird die Strahlungsrekombinationsrate im Rotlicht-Quantentopf stark erhöht.
Erfolgreiche Herstellung einer Reihe hocheffizienter orange-roter LEDs auf InGaN-Basis mit dieser Technologie. Wenn die Emissionswellenlängen 594, 608 und 621 nm betragen, betragen die Leistungsumwandlungswirkungsgrade 30,1%, 24,0% bzw. 16,8%. Verglichen mit den zuvor berichteten Ergebnissen der gleichen Wellenlängen-LED auf InGaN-Basis ist die Lichtausbeute etwa zehnmal höher.
Forscher glauben, dass diese Technologie in Zukunft noch mehr Raum für Verbesserungen bietet. Gleichzeitig belegen die experimentellen Ergebnisse des Teams auch, dass InGaN-Materialien großes Potenzial und gute Aussichten bei der Herstellung von Rotlicht-Pixelchips für Displayanwendungen haben werden.
GMKJ bietet hier viele verschiedene 3030 SMD-LEDs an:
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